3339 期 / 第4版:科学生活
罗姆开发出小尺寸具有绝缘构造且超低功耗的金氧半场效晶体管

全球知名半导体制造商罗姆(ROHM)开发出一款小型且高效的20V耐压Nch MOSFET*1“RA1C030LD”,该产品适用于可穿戴设备、无线耳机等可听戴设备、智能手机等轻薄小型设备的开关应用。

近年来,随着小型设备向高性能化和多功能化方向发展,设备内部所需的电量也呈增长趋势,电池尺寸的增加,导致元器件的安装空间越来越少。另外,电池的尺寸增加也是有限制的,为了更有效地利用有限的电池电量,就需要减少用电元器件的功率损耗。

针对这种需求,开发易于小型化而且特性优异的晶圆级芯片尺寸封装的金氧半场效晶体管(MOSFET)已逐渐成为业界主流。罗姆利用其本身也是IC制造商的优势,通过灵活运用其IC工艺,大大降低了在以往分立器件的工艺中会增加的布线电阻,开发出功率损耗更低的小型功率MOSFET。(李华)